Це забезпечує значно більше високий КПД ИСПН у порівнянні з компенсаційним. Коли регулюючий елемент закритий, енергія, що була накопичена в дроселі, вертається через демпферний діод VD1 у вторинне джерело живлення вже без участі регулюючого елемента.

Як приклад розглянемо добре себе зарекомендовавшую по простоті й повторюваності схему понижувального ИСПН, запропоновану. У схему ИСПН, у порівнянні з вихідним варіантом, внесені лише деякі зміни, що дозволяють використовувати неї як вторинне джерело постійної напруги живлення для покупного випромінювача із дванадцятьма ультра яскравими светодиодами.

У цій схемі функцію регулюючого елемента на принциповій схемі, показаної на, виконує транзистор VT3, накопичувальної індуктивності дросель L1, демпферного діода VD3, накопичувальної ємності конденсатор З2, граничного елемента, вхід якого підключений до виходу стабілізатора, стабілітрон VD4, а формувача керуючого сигналу тригер Шмитта, що зібраний на транзисторах VT1 і VT2.

Схема ИСПН працює в такий спосіб: при підключенні живлячої напруги (до досягнення напруги на конденсаторі З2 напруги спрацьовування граничного елемента) елементи схеми перебувають у наступних вихідних станах: транзистор VT1 закритий, оскільки його база приєднана до загального проведення через резистор R2.

При цьому стабілітрон VD4 закритий, а транзистори VT2 і VT3 відкриті. Демпферний діод VD3 закритий. Позитивна напруга безперешкодно проходить від первинного джерела постойного струму через послідовно включені відкритий транзистор VT3 і дросель L1 на конденсатор З2, що є вторинним джерелом живлення, а з його обкладок у навантаження. У зв'язку з наявністю дроселя L1 у зарядної конденсатора З2 характер струму в ній буде лінійно зростаючий.

У міру заряду конденсатора З2 і нагромадження енергії в магнітному полі дроселя L1 наступає момент, коли напруга на конденсаторі З2 досягне величини напруги стабілізації стабілітрона VD4, і він відкривається. У результаті цього на базу транзистора VT1 з виходу ИСПН надходить позитивна напруга, транзистор VT1 відкривається, а транзистори VT2 і VT3 закриваються. Після закривання транзистора VT3 у дроселі L1 виникає ЭДС самоіндукції, і в деякий момент часу напруга на дроселі змінює свій знак на протилежний.